Сотрудники лаборатории эпитаксиальных нанотехнологий Академического университета представили результаты своих исследований на 33-й Международной конференции Advanced Laser Technologies (ALT 2026), которая прошла с 28 сентября по 3 октября в Самарканде (Узбекистан). Конференция объединила исследователей, работающих в области лазерных технологий, фотоники и оптических материалов. Рабочим языком научного форума был английский.

Доклады ученых Академического университета

В научную программу конференции вошли пять докладов сотрудников университета, посвященных разработке и изучению полупроводниковых наноструктур, гибридных материалов и новым подходам к управлению люминесценцией.

Альберт Даутов, лаборант и аспирант лаборатории эпитаксиальных нанотехнологий, выступил с докладом Formation of AlN nanowires and InN quantum dots on h-BN surface («Формирование нанонитей AlN и квантовых точек InN на поверхности h-BN») в секции Laser Systems and Materials.

Владислав Гридчин, старший научный сотрудник лаборатории, кандидат физико-математических наук, представил работу MBE Growth of GaN Nanowires on GaN/AlN/Si Templates: Toward UV Nanolasers («Рост нанонитей GaN методом молекулярно-лучевой эпитаксии на шаблонах GaN/AlN/Si: на пути к ультрафиолетовым нанолазерам»).

Родин Резник, ведущий научный сотрудник лаборатории, доктор физико-математических наук, выступил с докладом III-V hybrid nanostructures integrated with the silicon platform («Гибридные наноструктуры III–V, интегрированные с кремниевой платформой»).

Алексей Кузнецов, младший научный сотрудник лаборатории, кандидат физико-математических наук, представил исследование Towards exciton-plasmon-polaritons observation in hybrid GaP nanowire/WS₂/Ag heterostructure («К наблюдению экситон-плазмон-поляритонов в гибридной гетероструктуре на основе нанонити GaP, WS₂ и Ag»).

Алексей Большаков, ведущий научный сотрудник, доктор физико-математических наук, представил доклад Nanostructures for control over luminescence in 2D material («Наноструктуры для управления люминесценцией в двумерных материалах»).

Представленные исследования охватывают несколько направлений современной нанофотоники: формирование полупроводниковых наноструктур, разработку материалов для ультрафиолетовых нанолазеров, интеграцию гибридных систем с кремниевыми платформами и управление оптическими свойствами двумерных материалов.

Обмен научным опытом

Альберт Даутов поделился впечатлениями от поездки:

«Участие в конференции ALT 2026 стало для меня особенно ценным опытом представления научных достижений нашей лаборатории на международной площадке на иностранном языке. Конференция предоставила возможность познакомиться с актуальными научными исследованиями, обменяться идеями и обсудить современные подходы к решению исследовательских задач. Особенно полезными оказались содержательные доклады и живые научные дискуссии.

Поездка также позволила лишний раз убедиться, что исследования, проводимые в Алфёровском университете, не только соответствуют высокому международному уровню, но и по ряду направлений находятся на переднем крае современной науки».

Международные научные конференции дают исследователям возможность представлять результаты своей работы зарубежным коллегам, обсуждать актуальные задачи и знакомиться с новыми подходами в своей области. Для сотрудников лаборатории эпитаксиальных нанотехнологий это также возможность рассказать международному научному сообществу о разработках Академического университета в области полупроводниковых наноструктур и нанофотоники.