Центр нанотехнологий
Центр высшего образования
Центр общего образования
Зав. лабораторией
д.ф.-м.н.
В.Г. Дубровский

Лаборатория физики наноструктур

физики наноструктур

Лаборатория является мировых лидером в области теоретических исследований
роста и свойств полупроводниковых наноструктур, в частности, квантовых
точек и нитевидных нанокристаллов, а также общей теории нкулеации и
фазовых переходов. Основная цель научных работ лаборатории — развитие
фундаментальных исследований в области физики наноструктур.

Основные направления деятельности лаборатории включают в себя:

  • Моделирование роста и кристаллической структуры III-V нитевидных
    нанокристаллов;
  • Фундаментальные исследования в области ростовой теории одномерных
    наноструктур;
  • Фундаментальные теоретические исследования в области теории нуклеации,
    функций распределения зародышей по размерам и скейлинга в теории фазовых
    переходов;
  • Теоретические исследования процессов формирования упруго-напряженных
    наноструктур в системах рассогласованных по параметру решетки;
  • Теоретические и экспериментальные исследования процессов роста и свойств
    SiC.

Лаборатория участвует во многих Европейских проектах, имеет грант РНФ на
поддержку существующих научных лабораторий, сотрудничает с более чем 20
ведущими мировыми группами в области синтеза полупроводниковых
наноструктур

Коллектив лаборатории активно участвует в российских и международ­ных на­уч­ных проектах, в том числе государственных контрактах с Федеральным агентством по науке и инновациям, проектах РФФИ, Программах фундаментальных исследований Президиума РАН и Президиума СПбНЦ РАН.

GaAs нитевидные нанокристаллы и их вюрцитная кристаллическая структура

Отчётные материалы по государственному контракту от «24» мая 2011 г. № 14.740.11.1062 «Синтез и исследование наноструктур комбинированой размерности на основе соединений А3В5 для приборов опто- и наноэлектроники».

О размещении отчетных материалов
14_740_11_1062_Аннотация_1этап
14_740_11_1062_Аннотация_2этап
14_740_11_1062_Аннотация_3этап
14_740_11_1062_Аннотация_4этап

Отчётные материалы по гранту от "16" мая 2011г. "Разработка технологии получения когерентных полупроводниковых нитевидных кристаллов А3В5 на поверхности кремния".

О размещении отчетных материалов
16_740_11_0510_Аннотация_1этап
16_740_11_0510_Аннотация_2этап
16_740_11_0510_Аннотация_3этап
16_740_11_0510_Аннотация_4этап