Центр нанотехнологий
Центр высшего образования
Центр общего образования

Поиск

Информация о сотруднике

Гудовских Александр Сергеевич


Краткое резюме.

Доктор технических наук, родился 14.03.1976 г. в Ленинграде.

Образование:

1999 — окончил с отличием Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ».

2002 — кандидат физико-математических наук по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников».

2002-2006 — походил научную стажировку в Электротехнической лаборатории Парижа (Laboratoire de Génie Electrique de Paris CNRS) во Франции.

2014 — доктор технических наук (специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах) тема: «ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА В ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ СОЛНЕЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ»

Основное место работы:

Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук» (Академический университет), ведущий научный сотрудник

Рабочий телефон: +7-812-247-44-68 , e-mail: gudоvskikh@spbаu.ru

Преподавательская деятельность.

 Доцент кафедры “Квантовой электроники и оптико электронных приборов” Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

 Научное руководство аспирантами, магистрами и бакалаврами.

Научная деятельность.

Область научных интересов:

  • в области физики и технологии полупроводниковых фотопреобразовательных гетероструктур, в частности, свойств границ раздела, емкостной спектроскопии, технологии нанесения тонких пленок.

Наиболее значимые публикации

Автор более 100 публикаций в научных изданиях и материалах конференций, 5 патентов.

  • A. S. Gudovskikh, J. P. Kleider, Capacitance spectroscopy of amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cells at forward bias and under illumination. Appl. Phys. Letter 90 (2007) 034104.
  • J. P. Kleider, A.S. Gudovskikh, P. Roca i Cabarrocas, Determination of the conduction band offset between hydrogenated amorphous silicon and crystalline silicon from surface inversion layer conductance measurements, Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 162101.
  • A.S. Gudovskikh, J. P. Kleider, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, Band structure at heterojunction interfaces of GaInP solar cells, Solar Energy Materials and Solar Cells (2010) 94 (2010), pp. 1953-1958.
  • A. S. Gudovskikh, K. S. Zelentsov, N. A. Kalyuzhnyy, V. V. Evstropov, V. M. Lantratov, S. A. Mintairov, Interface properties of GaInP/Ge heterostructure subcells of multijunction solar cells, J. Phys. D: Appl. Phys. 45 (2012) 495305
  • A.S. Gudovskikh, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, V.M. Lantratov. Interfaces in III-V High Efficiency Solar Cells // Wang X., Wang Z. M. (Eds.) High-Efficiency Solar Cells: Physics, Materials, and Devices, Springer Series in Materials Science Volume 190, 2014, pp 545-570
  • Гудовских А. С. Границы раздела в солнечных элементах на основе гетерост-руктур СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2012. 160 с.


Контакты

Телефон: +7-812-247-44-68
E-mail: gudоvskikh@spbаu.ru